原位MEMS热电耦合芯片样品杆：倾转角：α、β角倾转±20°；加电方式：配置一个电流电压测试单元，可通过MEMS芯片对样品两端施加偏压并测量响应电流；电压输出范围：高压模式±150V；电流测量范围：1nA-30mA可连续测量；电流分辨率：100 fA；软件功能：自动I-V和I-t 测量，以图谱图片、txt形式自动保存原始数据。加热方式：通过 MEMS 芯片对样品加热；加热温度范围：室温至1000℃；加热功率：最大30W；加热温度准确度:≤5%；控温稳定性：±0.5℃ ；最大升温速率：≥100℃/s 。原位MEMS-STM-TEM多场耦合样品杆：样品兼容性：适配自研MEMS三端热电耦合芯片和普通标准铜网/钼网样品。加热方式：通过MEMS芯片对样品加热；加热温度范围：室温至800℃；加热功率：最大30W；加热温度准确度:≤5%；控温稳定性：±0.5℃；最大升温速率：≥100℃/s ；集成式光纤：多模光纤模组、光纤芯径可选，接入光纤保证电镜镜筒原有真空度（≤4.5×10-5Pa）；光纤接口：配置光纤 SMA 接头或FC/PC快速接口；激光器：标配4个不同波段激光器，波长可选，且单波段功率均≥100mW，功率可调。

PicoFemto透射电子显微镜原位MEMS热电耦合芯片样品杆是在标准外形的透射电镜样品杆内安装热电耦合芯片，可实现对样品同时或分别施加电压/电流和加热功能（同时或分别施加时，电学测量指标和加热与温控指标不受影响），完成相关原位电学、热学和热电测试研究指标。 PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多场耦合样品杆(MST)是一种革命性的原位透射电子显微镜实验系统，其既使研究者可以利用扫描探针对载网或芯片上的样品施加电压和电流，也可通过扫描探针与MEMS三端热电耦合芯片配合，对样品进行三端加电的同时，施加光照和加热功能，完成相关原位电学、热学、光学等单场和热电、热电光等多场测试研究需求。可实现对样品同时或分别施加电压/电流和加热功能，搭配扫描探针可对三端器件样品的源、漏、栅三个电极加电，进行电学功能测试。

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