热型原子层沉积系统
资产编号：
S2602529
联系人：
赵奎
联系电话：
邮箱：
规格型号：
在100*100=10000 mm硅片上，300 cycle的氧化铝/氧化锡，膜厚非均匀性≤±2%。 PDALD-T100B
放置地点：
长安校区科研楼N1003
生产厂家：
武汉普迪真空科技有限公司
制造国家：
购置日期：
1970-01-01
入网日期：
2026-09-21
入网日期：
2026-09-21
购置日期：
1970-01-01
仪器价格：
328000
仪器产地：
分类号：
出厂日期：
1970-01-01
资产负责人：
赵奎
主要规格及技术指标:
在100*100=10000 mm硅片上，300 cycle的氧化铝/氧化锡，膜厚非均匀性≤±2%。
主要功能及特色:
实现均匀的氧化铝、氧化锡原子层沉积。
主要附件及配置:
无
| 公告名称 | 公告内容 | 发布日期 |
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